碲镉汞晶体材料的研究与发展

摘要

碲镉汞晶体材料正经历着一个迅速发展的时期。目前这种研究正从企业、国防部门向科研单位转移，正集中于研究材料的光学效应、电磁效应、光磁效应、杂质态、缺陷、晶格动力学、元激发等方面。研究单位和人员迅速增加。因此，无论从研究深度、广度及投资看，该晶体将是仅次于硅、锗掺镓的第三种最有前途的半导体材料。该文重点介绍了以下几方面：碲镉汞晶体研究的掘起；碲镉汞晶体材料的生长技术；碲镉汞晶体的有关性质。随着工艺的不断发展，碲镉汞晶体的制备技术经历了一个从体晶体向薄膜晶体发展的历程，在源的输运方式上，经历了从熔体生长向溶液生长与汽相生长转化的进程。（韩理洁摘）

展开▼

著录项

来源

《全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议》|1985年|30|共1页

会议地点

保定

作者

俞振中;

展开▼

作者单位

中国物理学会发光分析学会;

展开▼

会议组织

正文语种

原文格式

PDF

中图分类

TN304.01;

关键词

半导体晶体;

红外探测器;

晶体生长;

液相外延;

半导体物理;

Ⅱ-Ⅵ族化合物;

碲化镉;

碲化汞;